Este documento describe el 512M x 64-bit (4GB) de Value RAM DDR3L-1600 CL11 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx8, bajo voltaje, módulo de memoria, basado en ocho FBGA de 512 M x 8 bits componentes. El SPD está programado según el estándar JEDEC latencia DDR3-1600 sincronización del 11-11-11 a 1,35 V o 1,5 V. Esta El SODIMM de 204 pines utiliza dedos de contacto dorados. El eléctrico y Las especificaciones mecánicas son las siguientes:

CARACTERÍSTICAS
Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,35 V y 1,5 V
VDDQ = 1,35 V y 1,5 V
800MHz FCK para 1600Mb / seg / pin
8 bancos internos independientes
Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5
Latencia aditiva programable: reloj 0, CL - 2 o CL - 1
Precarga de 8 bits
Longitud de ráfaga: 8 (intercalado sin ningún límite, secuencial con el inicio
dirección '000' solamente), 4 con TCCD = 4 que no permite
leer o escribir [sobre la marcha con A12 o MRS]
Estroboscópico de datos diferenciales bidireccionales
Calibración interna (auto): auto calibración interna a través del pin ZQ (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
En la terminación del troquel utilizando el pin ODT
Período de actualización promedio 7.8us a menos de TCASE 85 ° C, 3.9us a
85 ° C
Restablecimiento asincrónico
PCB: Alto1.18” (30 mm), componente de doble cara
Cumple con RoHS sin plomo

ESPECIFICACIONES:
CL(IDD) 11 cycles
Row Cycle Time (tRCmin) 48.125ns (min.)
Refresh to Active/Refresh 260ns (min.)
Command Time (tRFCmin)
Row Active Time (tRASmin) 35ns (min.)
UL Rating 94 V - 0
Operating Temperature 0o
C to 85o C
Storage Temperature -55o C to +100o C

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PN: KVR16LS11/4WP
MODELO: KVR16LS11/4WP
EAN/UPC: 740617317459